Для временного хранения данных выбирайте модуль памяти SAMSUNG M378A1K43EB2-CWE DDR4 с форм-фактором DIMM. Латентность CL21 минимизирует задержки данных из памяти. Необходимое напряжение для работы модуля памяти — 1,2 В. Скорость 3200 МГц обеспечивает быстродействие системы. Объем модуля 8 Гб позволяет использовать его в качестве единственного модуля и в комбинации с другими модулями. Этого объема будет достаточно для ресурсоемких программ и для современных компьютерных игр. Предусмотрено 288-pin контактов. Показатель скорости — PC4-25600.

Техническое описание

• Тип: оперативная память
• Назначение: для системного блока
• Объем одного модуля: 8 Гб
• Количество модулей: 1 шт.
• Тип памяти: DDR4
• Форм-фактор: DIMM 288-контактный
• Тактовая частота: 3200 МГц
• Пропускная способность: 25600 Мб/с
• Поддержка ECC: нет
• Буферизованная: нет
• Латентность: CL21
• Подсветка: нет
• Напряжение питания: 1,2 В

Комплектация

• Модуль памяти Samsung DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL21 - 8Gb M378A1K43EB2-CWE

Полезная информация

• Штрих код GTIN-13: 2085334800005
• Страна производства из предпоследней поставки была: Китай
• Гарантия: 1 год
• Дополнительно: www.samsung.ru