Области применения:

• дифрактометрия высокого разрешения
• анализ текстуры и напряжений
• анализ кривых качания, оценка совершенства упорядоченных структур
• построение карт обратного пространства эпитаксиальных пленок и слоев
• рефлектометрия
• наноисследования, малоугловое рассеяние рентгеновских лучей SAXS (Small angle X-ray scattering)
• анализ тонких и очень тонких нанопленок
• фазовый анализ с высочайшей скоростью и точностью, метод Ритвельда
• дифракция в плоскости (in-plane дифракция)
• анализ монокристаллов и др.

Уникальные возможности:

• система для измерений дифракции в плоскостях решетки, перпендикулярных типовой плоскости
• extended-позиция - удлиненное плечо первичной оптики гониометра для получения максимального разрешения и интенсивности в параллельно-лучевой геометрии с рентгеновским параболическим зеркалом и любым из монохроматоров Бартеля
• вторичная оптика для анализа тройных осей (анализатор), кривых качания, карт обратного пространства и т.п. - система для анализа с высочайшей разрешающей способностью полупроводников, эпитаксиальных высокоупорядоченных пленок, в т.ч. очень тонких