Описание

Установщик кристаллов и флип-чипов NANO позволяет монтировать кристаллы и флип-чипы с субмикронной точностью ± 0,3 мкм, 3 σ. Высокая точность монтажа обеспечивается при сборке на подложки большой площади (до 300 х 300 мм), независимо от метода монтажа – на термо- или УФ-отверждаемый клей, флип-чип монтаж, эвтектическая пайка.

Встроенная система дозирования может реализовать любую из существующих технологий дозирования материалов. Установка может быть также оснащена системой лазерной пайки, термостолом и функцией подогрева монтажного инструмента. Субмикронная точность монтажа позволяет использовать установщик NANO в производстве изделий оптоэлектроники и фотоники.

Области применения установки NANO:

• Сборка оптоэлектронных приборов – активных оптических кабелей, лазеров
• Производство изделий кремниевой фотоники
• Сборка по технологии DBI (Direct Bond Interconnect)

Основные особенности и возможности установки NANO:

• Модульная концепция;
• Точность монтажа ± 0,3 мкм;
• Время цикла монтажа 18 сек/кристалл;
• Реализация всех известных методов монтажа кристаллов и флип-чипов;
• Высокоточный монтаж на площади 300 х 300 мм;
• Монтаж в защитной среде (азот, формир-газ);
• Нагрев инструмента для монтажа, нагрев пластины-подложки;
• Автозагрузка кристаллов в виде разрезанных пластин диаметром до 300 мм;
• Автозагрузка пластин-подложек диаметром до 300 мм;
• Максимальная площадь монтажа 300 х 300 мм;
• Выборочный монтаж кристаллов с помощью электронной карты пластин;
• Нанесение клея для монтажа кристаллов методами дозирования и штемпелевания;
• Монтаж кристаллов с применением метода динамического выравнивания. Отслеживание и коррекция текущих координат монтируемого кристалла во время его монтажа относительно координат посадочного места. Монтаж на активные компоненты, например, монтаж микролинз на работающий кристалл лазерного диода.
• Контроль усилия прижима с функцией обратной связи;
• Автоматический контроль точности монтажа;
• Создание чистой зоны внутри установки, благодаря использованию встроенной системы HEPA-фильтрации воздуха;
• УФ-отверждение клея (опция).

Эвтектическая пайка кристаллов in-situ с помощью лазера или термостола: 

• Локальный нагрев лазером до 600°С
• Время пайки с помощью нагрева лазером менее 1 сек
• Максимальная температура нагрева термостола 350°С
• Нагрев инструмента для монтажа (вакуумного захвата) до 350°С

Технические характеристики